复旦微提供工业标准的SLC Parallel NAND Flash 存储器，工作电压范围2.7V~3.6V，产品容量从1Gbits 到4Gbits，主要用于嵌入式系统的代码存储。相较于大型ONFI NAND Flash，复旦微提供的SLC Parallel NAND Flash可提供更高的可靠性、更健壮的纠错性能、更长期的产品生命周期。应用范围涵盖物联网、汽车、网络、存储、机顶盒、网通、数字电视、手机、工业以及其他应用。
产品特性：
● 容量1Gbit到4Gbit
● 接口模式：ONFI
● 工作电压：2.7V-3.6V
● 可靠性：数据保持时间10年，擦写寿命10万次，1bit~4bit嵌入式ECC
● 封装：TSOP48
|
Part No.
|
Details
|
Density
|
Cell Type
|
Page Size
|
ECC
|
Bus Width
|
Vcc Range
|
Speed (ns)
|
Packages
|
Grade
|
Status
|
|
FM29G01C
|
Download
|
1Gbit
|
SLC
|
2KB
|
4-bit
|
x8
|
2.7V-3.6V
|
25
|
TP
|
G
|
MP
|
|
FM29S01
|
Download
|
1Gbit
|
SLC
|
2KB
|
1-bit
|
x8
|
2.7V-3.6V
|
25
|
TP
|
G
|
UD
|
|
FM29S02
|
Download
|
2Gbit
|
SLC
|
2KB
|
1-bit
|
x8
|
2.7V-3.6V
|
25
|
TP
|
G
|
UD
|
|
FM29G04C
|
Download
|
4Gbit
|
SLC
|
2KB
|
4-bit
|
x8
|
2.7V-3.6V
|
25
|
TP
|
G
|
MP
|
| ● Package: PD=PDIP8, SO=SOP8(150mil) or SOP14, SOB=SOP8(208mil), TS=TSSOP8 or TSSOP14, MS=MSOP8, VSA=VSOP8(150mil), UN=UDFN(2*3), DN=TDFN8(2*3), US=USON8(2*3), SN=USON(0.45mm), DNA=TDFN8(5*6), DND=TDFN(6*8), ST=TSOT23-5L or TSOT23-6L, BGB=BGA24(6*8), CSP=WLCSP, QND=QFN16, TP=TSOP48 | ||||||||
| ● Status: M= Mass Production, S=Samples, UD=Under Development, N=Not recommended for new designs. |
| Device Grade | Description |
| G | -40 to 85℃, Industrial Grade, RoHS&REACH compliant. |
| A1 | -40 to 125℃, Automotive Grade 1, RoHS&REACH compliant. |
| A2 | -40 to 105℃, Automotive Grade 2, RoHS&REACH compliant. |
| E0/E1/E2 | Extended Temperature Ranges, contact sales for detail. |
